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特泽商洽崩了 美国务卿要求抱歉 泽连斯基说“不”

时间:2025-03-05 02:48:37 出处:梦幻塑胶机器阅读(143)

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美国(图1)图1:宽禁带物理特性宽禁带半导体(续)宽禁带资料具有超越2电子伏特的禁带。碳化硅的一个共同应战在于该资料不存在液相,要求因而无法通过熔融法成长晶体。图2:泽连宽禁带的优势碳化硅在各种宽禁带半导体中,泽连碳化硅(SiC)现已成为极具吸引力的资料,特别适用于高功率转化运用,包含电动轿车(EV)中的牵引逆变器和车载充电机,以及基础设施运用如直流快充、太阳能逆变器、储能和不间断电源(UPS)。

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碳化硅器材的规划电压不低于650V,特泽特别是在1200V以上时,碳化硅成为各种运用的最佳解决计划。这是因为根据碳化硅的体系一般比根据硅的体系更节能、商洽斯基说更小、更巩固,因而规划人员能够减小无源器材的尺度和本钱。

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碳化硅制作的应战尽管碳化硅具有巨大的商场时机,崩抱歉但其制作进程也面临着许多应战。

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